存储巨头新动作不断

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星电子预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星电子还计划在本月开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

据韩联社报道，三星电子于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。

该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。

据悉，这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

此外，据媒体报道，有业内人士透露，三星已经下调4Gb DDR4的芯片价格，这也被视为公司加速从DDR3向DDR4转变的战略措施。

消息人士表示，三星继续缩减了其DDR3芯片产量，同时提供更高性价比的DDR4芯片价格，以吸引仍然需要DDR3内存的应用，如消费电子产品的订单。

随着三星下调DDR4芯片价格，DDR3内存的供应商也可能降低报价以维持订单。消息人士称，今年下半年消费DRAM价格的跌幅有望扩大。

近期，媒体报道三星正在准备新一代的990 Pro SSD，采用PCIe 5.0 x4接口，该款SSD日前已经通过PCI-SIG的确认。

此前，三星990 Pro SSD已经通过了韩国的RRA认证，这次又通过PCI-SIG确认，意味着其离正式发布上市应该不远了，业内预计将在不久后随AMD和英特尔新一代平台上市。

据悉，三星990 Pro SSD将提供1TB和2TB两种容量，型号分别为“MZ-V9P1T0”和“MZ-V9P2T0”。

JEDEC发布最新的UFS 4.0标准

8月11日，JEDEC发布了最新的JESD220F，即UFS 4.0标准，这是对2020年发布的3.1版本的更新。

据介绍，UFS 4.0标准是为了需要高性能和低功耗的移动设备而开发的，是一种高性能接口，将带来显著的带宽和数据保护改进。

通过UFS 4.0和UFSHCI 4.0标准，相比上一代标准主要做了以下改进：利用M-PHY 5.0版规范和UniPro 2.0版规范，将UFS接口带宽加倍，支持高达4.2GB/s的读写流量；为要求更高的存 I/O模式，引入了多循环队列定义；高级RMPB接口可增加带宽，同时保护数据的安全。

UFS 4.0标准还提供了多项增强功能，旨在提高整体设备功能、电源效率以及轻松集成未来的解决方案。

Memblaze最新演示消息

近期，忆恒创源（Memblaze）对外演示了基于Marvell® Bravera™ SC5 PCIe 5.0 NVMe主控芯片，代号“Mango”的下一代企业级SSD产品解决方案。

该方案有着两倍于PCIe 4.0 SSD的读写性能，支持NVMe 2.0协议规范，可提供更多新的高级企业级功能特性，以及对2.5英寸U.2、E3.S外形尺寸的支持。

通过硬件、固件的深度优化，“Mango”可以实现高达14GB/s的128K顺序读带宽和8GB/s的128K顺序写带宽，其读写延迟低至60/9μs，以确保QoS和性能的一致性。

在产品形态方面，除了对主流的U.2 2.5英寸盘加以支持外，“Mango”还支持新的E3.S接口形态，可带来更高的信号质量及数据存储密度，如在更小的外形尺寸下提供4TB~32TB存储容量，让未来2U服务器实现PB级的存储能力成为现实。

DRAM：颗粒全线产品跌幅约3%-5%

上周碍于需求疲弱及高库存待消化，DRAM颗粒全线产品相较上周约有3%-5%的跌幅，现货供应商皆面临砍价压力，虽然报价持续下探，但仍是不舍亏损扩大，承接买盘有限。在模组部分，价格则是因有实单需求而暂时有所支撑，整体买气依旧不足。

DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC报价落在USD2.80；Samsung WC-BCWE报价下跌至USD2.50，2666 WC-BCTD现货报价也同样下跌至USD2.47左右。

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC价格为USD1.65，WF-BCTD价格为USD1.65左右。

DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC报价下修至USD2.78~2.80；Samsung WC-BCTD报价下修至USD2.59。

DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC价格在USD1.7x，WF-BCTD报价下跌至USD1.44附近。

模组现货价格参考：

KST DDR4 8G 2666 $21.00

KST DDR4 16G 2666 $41.75

KST DDR4 8G 3200 $21.50

KST DDR4 16G 3200 $42.50

KST DDR4 32G 3200 $88.80

NAND Flash：现货颗粒价格持续下跌

上周SSD终端需求持续萎缩，原有订单大多限制备货于特定品牌型号，相应产品线及OEM相关需求表现更显萧条，wafer卖压延烧至Good die，颗粒价格呈现跌势，向下拉扯原厂颗粒报价应声走跌；eMMC及成卡需求亦不理想，整体卖压加重，更加速现货颗粒报价跌幅扩大，整体买气呈现乏人问津，有零星询单亦多有限制，整体市场氛围更显悲观。

其中，Samsung SLC部分零星询单相对稳定，但大盘报价疲弱影响，部分颗粒仍有些许修正，低价刺激有些许议价动作，但双方态度仍有差距，最终未能成交。

SK Hynix SLC部分市场跌幅趋缓，2G/4G低价部位仍有零星询单议价，但受限于需求量过小，交易条件甚多，盘势微幅振荡。

Micron SLC部分，2G/4G有些许货量释出，但并未主动调降报价，不过因实际需求仍不理想，供应端采取被动议价策略。

Kioxia SLC需求保守萎缩，亦未见明显大货释出，盘势相对稳定，但终端需求持续疲软，整体氛围大多抱持未来跌势，买气欠佳。

TF卡：市场价格表现疲软

上周TF卡表现安静，终端需求有所减少，买家问价动作不积极，仅在低容量部分有零星成交，市场价格表现疲软，整体成交量有限。