MRF8P20140WHSR3  freascale

RF功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

专为CDMA基站应用的频率，从1880年到
2025兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
典型达赫迪单 - 载波W - CDMA性能：VDD=28伏，
IDQA= 500毫安，VGSB=1.2伏，噘=24瓦平均智商幅度
裁剪，信道带宽=3.84 MHz的输入信号PAR=9.9分贝
@ CCDF上0.01％的概率。
频率
全球定位系统
（分贝）
D
（％）
输出PAR
（分贝）
ACPR
（DBC）
1880兆赫16.042.88.0--31.0
1920兆赫16.043.78.1--32.6
2025兆赫15.942.08.1--31.2
能够处理10：1 VSWR，@30伏直流电，1920兆赫，160瓦CW（1）
输出功率（额定从噘3分贝输入过载）
典型噘@3分贝压缩点≃170瓦（1）
产品特点
专为宽瞬时带宽的应用。 VBWres≃
240兆赫。
专为宽带应用，需要160 MHz的信号带宽
生产测试在对称的Doherty配置
100％PAR测试时间保证输出功率能力
特点与大 - 信号负载 - 拉参数和公共源
的S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
较大的负面栅 - 源电压范围为改进C级
手术
专为数字预失真纠错系统
NI - 780H - 4L在磁带和卷轴。 R3后缀=250单位，56个毫米磁带宽度，
13 - 英寸的卷。
NI - 780S - 4L，NI - 780GS - 4L在磁带和卷轴。 R3后缀=250单位，32毫米
胶带宽度，13 - 英寸的卷。