破局AI算力能耗困境——Bruckewell CMS120N007WH 1200V SiC MOSFET 

▌行业痛点与解决方案
面对AI服务器集群年均30%的能耗增长，Bruckewell推出的CMS120N007WH碳化硅功率器件，通过三项核心技术突破实现能效跃迁：

  1. 超低损耗架构：7mΩ导通电阻配合51nC栅极电荷，开关损耗较硅基方案降低62%，单芯片可为8GPU节点年省电3,500度

  2. 热管理革命：TO-247 Plus 4L封装实现0.6°C/W热阻，结温较英飞凌IMZA120R007M1H降低18℃

  3. 场景化强化设计：

    • 6.5mm爬电距离满足多级功率架构安全需求

    • 集成Kelvin源极引脚优化高频开关性能


▌实测性能对标

参数CMS120N007WH竞品A竞品B导通电阻(mΩ)71728栅极电荷(nC)51108317短路耐受能力(μs)53-


▌客户价值验证
已部署于腾讯第四代数据中心，助力：
• 电源转换效率提升至98.6%
• PUE指标降至1.12以下
• 单机柜功率密度突破45kW


（技术参数表与测试波形图）