美光探索“近GPU NAND”新型存储：直连GPU破解大模型显存瓶颈，商用仍待观察
美光正着手研发一种新型NAND闪存模块，目标是将高耐久性存储从远端存储池直接迁移至GPU近旁，业界暂称其为“近GPU NAND”。该方案旨在打破现有存储架构的层级限制，使GPU能够直接访问数百GB容量的NAND存储池。
与现有HBM、GDDR等方案不同，这种模块可直接部署于GPU封装内部或PCB板上，通过牺牲部分存储密度来换取更高的I/O速度、传输带宽与读取性能。在存储层级中，它将扮演介于显存与常规存储之间的高速缓冲层，专门承接对延迟和带宽要求低于HBM/DRAM、但又快于普通存储的工作负载。
若该技术成功商业化，有望显著缓解大语言模型推理长期面临的显存容量瓶颈。不过，美光目前尚未公布具体产品路线图或技术参数，该方案仍处于早期研究阶段，能否落地及市场接受度尚需观察。
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