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存储现货首现高位回调,长周期缺货未改,长江存储IPO提速

来源:泓龙电子 作者:Adam 发布时间:2026-09-14 15:07:56
存储现货首现高位回调,长周期缺货未改,长江存储IPO提速

存储市场出现微妙变化:现货端在连续大涨后首次释放回调信号,但长周期缺货逻辑并未逆转,国产存储龙头长江存储的IPO进程则骤然提速。

周度现货报告显示,DRAM交易氛围转向保守。DDR5 2Gx8-5600出现价格修正,买方目标价下移,但可流通现货有限,成交难以放大;DDR4 2Gx8 SK海力士新Die报价从87美元下修至82美元左右,降价后仍未见明确买盘。NAND晶圆询盘冷清,eMMC因前期涨幅过大终端消化困难。当前DDR4现货仍约为原厂官价两倍,业内认为这是对高位报价的修正,而非供需反转,对采购方而言更适合分批补货,并可作为Q4合约谈判的压价筹码。

长周期判断同步强化。小米集团总裁卢伟冰公开表示,本轮内存涨价是长周期现象,至少延续到2027年底,下半年涨幅节奏趋缓但成本维持高位;原厂甚至认为短缺要到2028年才缓解。SEMI中国总裁冯莉指出,2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元,占DRAM市场近四成,尽管三大原厂70%新增产能倾斜HBM,缺口仍达50%至60%。TrendForce数据显示,2026年底三大厂约22%的DRAM晶圆投入用于HBM,却仅贡献约9%的位元产出,产能虹吸带来的“位元剪刀差”持续扩大。这意味着消费级存储有效供给在2027年前难有实质增长。

国产存储方面,长江存储科创板IPO快速推进。其申请于8月21日获受理并预披露招股书,9月3日审核状态即更新为“已问询”,节奏直追长鑫科技。公司拟募资330亿元,投向现有产线技术升级与下一代存储技术研发。市场预计,科创芯片设计指数在12月纳入长鑫科技后,存储权重有望升至45%至50%。随着国产NAND主力进入资本输血通道,与长鑫形成“国产存储双龙头”格局,长江存储颗粒的渠道供给与价格策略在IPO业绩期可能更积极,消费与工控级NAND、eMMC的国产替代认证有望加速,四季度需关注其渠道放量报价。

综合来看,现货回调更多是高位修正,长周期缺货与HBM产能虹吸仍是主线,国产存储的资本与产能扩张正在为后续供给格局埋下变量。

关键词: 存储 NAND eMMC DDR HBM

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