存储芯片价格极端上行：现货年涨超800%，美光称供应紧张看不到尽头
存储芯片市场正经历罕见的价格极端化行情。据DRAMeXchange及美银最新数据，现货市场8Gb DDR4报44美元，同比上涨803%；16Gb DDR4报91美元，同比上涨879%；1Tb NAND晶圆报31.9美元，同比上涨526%；256Gb NAND晶圆报16.8美元，同比涨幅高达979%。美银直言现货市场“处于危机”，并上调9月存储价格再涨20%的预期，同时判断2027年DRAM销售增速或超80%，远高于此前预期的48%。
与此同时，原厂口径进一步强化紧缺预期。美光CEO Sanjay Mehrotra在财报会上表示“完全看不到内存供应何时追上需求”，并透露2026年HBM产能已全部售罄，紧张局面将延续至2027年后，2028年才可能局部缓解。美光2026财年第三季度营收达414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%创下纪录。
投行杰富瑞援引顾问预测，存储合约价第三季度将上涨40%~50%，第四季度再涨30%~40%，2027年全年同比涨幅或达40%~45%，直到2028年新产能释放15%~20%后才会出现松动。
尽管涨价趋势明确，市场分析人士提醒，当前极端年涨幅已包含部分“恐慌性囤货”水分，现货较合约溢价仍高，渠道缺货未缓解。采购端需警惕消费级产品高位接盘风险，车规及企业级长单锁量窗口正在同步收窄。理性预判下，价格大概率在2027年触顶、2028年趋于平衡，但2026至2027年仍处上行通道。
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