DRAM合约价创历史新高，长鑫4F²样片验证完成，长江存储NAND份额升至17%
存储合约价与国产技术突破在同一时间窗口形成两条并行主线。
合约端，DRAM价格再创新高。据集邦DRAMeXchange数据，10月通用型DDR4 8Gb平均合约价达27.5美元，环比上涨5.77%，为2016年6月统计以来最高，较起点2.9美元约涨9.5倍，PC模组同步上扬。集邦预计第四季度PC DRAM合约价环比上涨13%至18%，多数谈判在11月收官。韩国厂商2027年PC DRAM产量预计同比减少20%以上，极端情景下超过40%。
但涨价的斜率正在放缓。下游曾抵制15%至20%的涨幅方案，实际成交多落在10%至15%区间，涨价函与实际成交之间已出现落差。这一落差可直接用于成本测算，采购端在核算2027年预算时，应按实际成交区间而非涨价函上限建模。
国产存储则从产能追赶迈入架构创新。长鑫在第三季度业绩会披露，基于4F²垂直沟道架构的第六代DRAM平台已完成工程样片验证，该架构被全球公认为下一代核心路径。G5平台11.95nm已量产，自研LPDDR6首发商用小米18 Fold，年末将推出4F² DDR5 RDIMM。长江存储第三季度NAND出货份额环比提升3个百分点至17%，超越SK海力士，紧随三星居全球第三。武汉第三座晶圆厂年底运行，再建两座，目标2027年底登顶，267层已量产，300层以上正在推进。
国产存储的架构突破在海外大厂供给偏紧的背景下留出了宝贵窗口。服务器、消费与车规场景的渗透正在提速，长鑫的4F² DDR5 RDIMM年末推出后，服务器RDIMM的国产二供可启动验证；长江存储的NAND份额提升与产能扩张，为消费级与企业级NAND的国产二供提供了实质供给。
采购动作上，建议执行三项。第一，DRAM成本测算按实际成交区间10%至15%建模，不按涨价函上限，同时关注韩国厂商2027年PC DRAM减产带来的供给收缩。第二，将长鑫4F² DDR5 RDIMM与长江存储NAND纳入二供验证清单，服务器与消费场景优先启动。第三，跟踪国产存储的架构创新进度，4F²与300层以上NAND的推进将改变2027至2028年的供给格局。合约价创新高与国产技术突破同时发生，采购策略应在锁定海外配额的同时，加快国产二供的验证与导入。
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